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| 垂直结构表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(605Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:587/75  |  提交时间:2014/11/17 |
| 垂直阵列纳米柱LED的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-04 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(485Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:709/82  |  提交时间:2014/11/17 |
| 一种利用光致发光谱测量GaN基LED的极化电场的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 张连; 于治国; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1211/98  |  提交时间:2014/11/05 |
| 一种利用电致发光谱测量氮化物LED内量子效率的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2014-01-22 发明人: 魏学成; 赵丽霞; 王莉; 孔庆峰; 卢鹏志; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(538Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:662/80  |  提交时间:2014/11/05 |
| 银纳米线透明电极氮化镓基发光二极管及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:658/73  |  提交时间:2014/10/29 |
| 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(244Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:661/93  |  提交时间:2014/10/29 |
| 制备氮化镓绿光发光二极管外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(243Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:573/89  |  提交时间:2014/10/29 |
| 纳米氮化镓发光二极管的制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-08-01 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(312Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:742/96  |  提交时间:2014/10/29 |
| 大面积制作纳米氮化镓图形衬底的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-25 发明人: 孙波; 赵丽霞; 伊晓燕; 刘志强; 魏学成; 王国宏 Adobe PDF(279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:663/100  |  提交时间:2014/10/29 |
| 表面等离激元增强GaN基纳米柱LED及制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-25 发明人: 于治国; 赵丽霞; 魏学成; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(521Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:587/77  |  提交时间:2014/11/17 |