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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition 会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:  Sun, GS (Sun, Guosheng);  Ning, J (Ning, Jin);  Gong, QC (Gong, Quancheng);  Gao, X (Gao, Xin);  Wang, L (Wang, Lei);  Liu, XF (Liu, Xingfang);  Zeng, YP (Zeng, Yiping);  Li, JM (Li, Jinmin);  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Homoepitaxial Growth  Low-pressure Hot-wall Cvd  Structural And Optical Characteristics  Intentional Doping  Schottky Barrier Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  WANG Lei;  GONG Quancheng;  GAO Xin;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI JinminL
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  SUN Guosheng;  NING Jin;  GAO Xin;  GONG Quancheng;  WANG Lei;  LIU Xingfang;  ZENG Yiping;  LI Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Yongxing;  Sun Guosheng;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Gao Xin;  Zeng Yiping;  Li Jinmin;  Li Siyuan
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Guosheng;  Zhang Yongxing;  Gao Xin;  Wang Junxi;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Wang Xiaoliang;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao Xin;  Sun Guosheng;  Li Jinmin;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zhang Yongxin;  Zeng Yiping
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Guosheng;  Gao Xin;  Zhang Yongxing;  Wang Lei;  Zhao Wanshun;  Zeng Yiping;  Li Jinmin
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