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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia CH ; Chen YH; Zhang WF; Zhang WF Henan Univ Key Lab Photovolta Mat Henan Prov Kaifeng 475004 Peoples R China. E-mail Address: wfzhang@henu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liu P; He Y; Zhou JP; Mu CH; Zhang HW; Liu P Shaanxi Normal Univ Sch Phys & Informat Technol Xian 710062 Peoples R China. E-mail Address: Liupeng@snnu.edu.cn; Zhoujp@snnu.edu.cn; hwzhang@uestc.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Jia CH (Jia Caihong); Chen YH (Chen Yonghai); Ding LH (Ding Linghong); Zhang WF (Zhang Weifeng); Zhang, WF, Henan Univ, Sch Phys & Elect, Kaifeng 475004, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfzhang@henu.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Song L (Song Li); Ci LJ (Ci Lijie); Jin CH (Jin Chuanhong); Tan PH (Tan Pingheng); Sun LF (Sun Lianfeng); Ma WJ (Ma Wenjun); Liu LF (Liu Lifeng); Liu DF (Liu Dongfang); Zhang ZX (Zhang Zengxing); Xiang YJ (Xiang Yanjuan); Luo SD (Luo Shudong); Zhao XW (Zhao Xiaowei); Shen J (Shen Jun); Zhou JJ (Zhou Jianjun); Zhou WY (Zhou Weiya); Xie SS (Xie Sishen); Xie, SS, Chinese Acad Sci, Inst Phys, Beijing Natl Lab Condensed Matter Phys, POB 603, Beijing 100080, Peoples R China. E-mail: ssxie@aphy.iphy.ac.cn
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| In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文
OPTICAL AND INFRARED THIN FILMS, 4094, SAN DIEGO, CA, 36739
作者: Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM; Li DZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition Sige Refractive High Energy Electron Diffraction Tansmission Electron Microscopy Double Crystal X-ray Diffraction Mobility 2-dimensional Electron Critical Thickness Strained Layers Ge Relaxation Epilayers Si1-xgex Gesi/si Gases |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM; Li DZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Kang XJ; Lin SM; Liao QW; Cheng P; Gao JH; Liu SA; Wang HJ; Zhang CH; Wang QM; Du GT; Liu Y; Li XM; Kang XJ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Yu Z(于卓); Li DZ(李代宗); Cheng BW(成步文); Li C(李成); Lei ZL(雷震霖); Huang CJ(黄昌俊); Zhang CH(张春辉); Yu JZ(余金中); Wang QM(王启明); Liang JW(梁骏吾)
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Cheng BW(成步文); Li DZ(李代宗); Huang CJ(黄昌俊); Zhang CH(张春晖); Yu Z(于卓); Yu JZ(余金中); Wang QM(王启明)
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| Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者: Peng CS; Chen H; Zhao ZY; Li JH; Dai DY; Huang Q; Zhou JM; Zhang YH; Tung CH; Sheng TT; Wang J; Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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Threading Dislocation Si(100) Layers Films |
