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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang FQ;  Chen NF;  Liu ZK;  Chai CL;  Yang SY;  Yang JL;  Wu JL;  Lin LY;  Callaghan FD;  Li T;  Foxton CT;  Bates CA;  Zhang FQ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhang FQ;  Yang JL;  Liu ZK;  Yang SY;  Chai CL;  Wang ZG;  Hu WR;  Lin LY;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Space-grown SI-GaAs and its application 会议论文
2002 12TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SEMICONDUCTING & INSULATING MATERIALS, SMOLENICE, SLOVAKIA, JUN 30-JUL 05, 2002
作者:  Chen NF;  Zhong XG;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gallium-arsenide  Floating-zone Growth  Crystal-growth  Zero Gravity  Microgravity  Segregation  Stoichiometry  Silicon  Defects  Insb  
Space grown semi-insulating gallium arsenide single crystal and its application 会议论文
IMPACT OF THE GRAVITY LEVEL ON MATERIALS PROCESSING AND FLUID DYNAMICS, 29 (4), WARSAW, POLAND, JUL, 2000
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF Acad Sinica Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Semiinsulating Gaas  Stoichiometry  Defects  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XL;  Zhang FQ;  Song SL;  Chen NF;  Wang ZG;  Lin LY;  Zhang XL,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chen NF;  Zhang FQ;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Zhang M;  Lin LY;  Chen NF,Acad Sinica,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao YW;  Dong HW;  Chen YH;  Zhang YH;  Jiao JH;  Zhao JQ;  Lin LY;  Fung S;  Zhao YW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical Microscopy  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Sapphire  Deposition  Films