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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [8]
作者
江德生 [2]
张加勇 [2]
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2008 [1]
2007 [1]
2005 [2]
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语种
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语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Yang, AL
;
Wei, HY
;
Liu, XL
;
Song, HP
;
Fan, HB
;
Zhang, PF
;
Zheng, GL
;
Yang, SY
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
;
Yang, AL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: alyang@semi.ac.cn
;
xlliu@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang XW (Zhang Xiu-Wen)
;
Fan WJ (Fan Wei-Jun)
;
Zheng YH (Zheng Yu-Hong)
;
Li SS (Li Shu-Shen)
;
Xia JB (Xia Jian-Bai)
;
Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhxw99@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Zheng ZS
;
Liu ZL
;
Zhang GQ
;
Li N
;
Fan K
;
Zhang EX
;
Yi WB
;
Chen M
;
Wang X
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1288/244
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提交时间:2010/03/29
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Simox
Fluorine
Ionizing Radiation
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, 28 (5), CHARLOTTESVILLE, VIRGINIA, JUN 24-26, 1998
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH Chinese Acad Sci Lab Excited State Proc Changchun 130021 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Double Multi-quantum Wells
Photocurrent Spectra
Zncdse-znse
Spectroscopy
Photoluminescence
Heterostructures
Photodetectors
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yu GH
;
Fan XW
;
Guan ZP
;
Zhang JY
;
Zhao XW
;
Shen DZ
;
Zheng ZH
;
Yang BJ
;
Jiang DS
;
Chen YB
;
Zhu ZM
;
Yu GH,Chinese Acad Sci,Lab Excited State Proc,Changchun 130021,Peoples R China.
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提交时间:2010/08/12