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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [8]
作者
张书明 [1]
赵德刚 [1]
文献类型
会议论文 [8]
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2004 [2]
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2000 [2]
1998 [1]
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语种:英语
文献类型:会议论文
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1419/244
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提交时间:2010/03/29
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1773/231
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提交时间:2010/03/29
Simox
Fluorine
Ionizing Radiation
Quantum dynamics of coupled quantum-dot qubits and dephasing effects induced by detections
会议论文
NANO SCIENCE AND TECHNOLOGY NOVEL STRUCTURES AND PHENOMENA, Kowloon, PEOPLES R CHINA, 2002
作者:
Jiang ZT
;
Peng J
;
You JQ
;
Li SS
;
Zheng HZ
;
Jiang ZT Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Defect states in cubic GaN epilayer grown on GaAs by metalorganic vapor phase epitaxy
会议论文
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLIED RESEARCH, 188 (2), DENVER, COLORADO, JUL 16-20, 2001
作者:
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Optical-transitions
Photoluminescence
Quantum computing
会议论文
PROCEEDINGS OF THE NATIONAL ACADEMY OF SCIENCES OF THE UNITED STATES OF AMERICA, 98 (21), IRVINE, CALIFORNIA, OCT 20-22, 2000
作者:
Li SS
;
Long GL
;
Bai FS
;
Feng SL
;
Zheng HZ
;
Li SS Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattics & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Search Algorithm
MOCVD growth of cubic GaN: Materials and devices
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Yang H
;
Zhang SM
;
Xu DP
;
Li SF
;
Zhao DG
;
Fu Y
;
Sun YP
;
Feng ZH
;
Zheng LX
;
Yang H Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Natl Res Ctr Optoelect Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Mocvd
Gan
Ingan
Cubic
Led
Chemical-vapor-deposition
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Phase Epitaxy
Ingan Films
Electroluminescence
Zincblende
Wurtzite
Mbe
The content calculation of hexagonal phase inclusions in cubic GaN films on GaAs(001) substrates grown by metalorganic chemical vapor deposition
会议论文
THIN SOLID FILMS, 368 (2), SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, MAY 10-13, 1999
作者:
Sun XL
;
Wang YY
;
Yang H
;
Li JB
;
Zheng LX
;
Xu DP
;
Wang ZG
;
Sun XL Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Res Ctr Optoelect Technol Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1672/311
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提交时间:2010/11/15
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Cubic Gan
Hexagonal Phase Content
4-circle X-ray Double Crystal Diffraction
Molecular-beam Epitaxy
Gallium Nitride
Thin-films
Silicon
Gaas
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
NITRIDE SEMICONDUCTORS, 482, BOSTON, MA, DEC 01-05, 1997
作者:
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
;
Zheng LX Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29