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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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期刊论文
作者:
Wang XP
;
Yang XH
;
Han Q
;
Ju YL
;
Du Y
;
Zhu B
;
Wang J
;
Ni HQ
;
He JF
;
Wang GW
;
Niu ZC
;
Wang, XP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. xpwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(634Kb)
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浏览/下载:1362/265
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提交时间:2011/07/05
用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
闫发旺
;
高海永
;
樊中朝
;
李晋闽
;
曾一平
;
王国宏
;
张会肖
;
王军喜
;
张扬
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浏览/下载:1773/269
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提交时间:2009/06/11
一种互补式金属氧化层半导体磁传感器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周盛华
;
吴南健
;
杨志超
Adobe PDF(331Kb)
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浏览/下载:1155/163
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提交时间:2009/06/11
参数化FPGA 设计与验证
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2008
作者:
杨志超
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浏览/下载:846/10
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提交时间:2009/04/13
砷化镓基1.5微米量子阱结构及其外延生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
牛智川
;
倪海桥
;
韩勤
;
张石勇
;
吴东海
;
赵欢
;
杨晓红
;
彭红玲
;
周志强
;
熊永华
;
吴荣汉
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浏览/下载:1515/248
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提交时间:2009/06/11
步进时隙脉冲检测防冲突方法及其电路
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-01-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨志超
;
周盛华
;
吴南健
;
李美云
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浏览/下载:1153/150
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, HL (Peng Hong-Ling)
;
Han, Q (Han Qin)
;
Yang, XH (Yang Xiao-Hong)
;
Niu, ZC (Niu Zhi-Chuan)
;
Peng, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:904/276
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提交时间:2010/03/29
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
Adobe PDF(336Kb)
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浏览/下载:1343/141
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
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浏览/下载:1287/184
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提交时间:2009/06/11
一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
樊中朝
;
余金中
;
陈少武
;
杨笛
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浏览/下载:1110/148
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提交时间:2009/06/11