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| 一种生长二氧化硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓东; 季安; 邢波; 杨富华
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| 短小光波导芯片的测量方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-12-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 余和军; 余金中; 邢波
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张冠杰; 徐波 ; 陈涌海; 姚江宏; 林耀望; 舒永春; 皮彪; 邢晓东; 刘如彬; 舒强; 王占国; 许京军
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 艾斌; 杨洪兴; 沈辉; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 艾斌; 杨洪兴; 沈辉; 廖显伯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张兴宏; 夏冠群; 徐元森; 徐波; 杨玉芬; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王小军; 金星; 张子平; 郑联喜; 肖智博; 胡雄伟; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孔繁亮; 德波幸戈
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| 微重力条件下从溶体生长GaAs单晶及性质研究 成果
1989
主要完成人: 林兰英; 周伯骏; 钟兴儒; 王占国; 石志文
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Gaas单晶 |
| 在图形化的半导体衬底上制作有序半导体纳米结构的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010140985.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31
发明人: 陈涌海; 刘建庆; 高云; 徐波; 张兴旺; 王占国
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