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| 以二氧化硅为掩模定位生长量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-12-03, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 任芸芸; 徐波; 周惠英; 刘明; 李志刚; 王占国 Adobe PDF(298Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1531/234  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 金鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王智杰; 王占国 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1702/236  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 鹏; 徐波; 王赤云; 刘俊朋; 王占国 Adobe PDF(492Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1557/216  |  提交时间:2009/06/11 |
| 在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 王占国 Adobe PDF(394Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1297/198  |  提交时间:2009/06/11 |
| 利用阳极氧化浴槽制备有序的阳极氧化铝通孔模板的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-09-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 周慧英; 曲胜春; 徐波; 张春林; 王占国 Adobe PDF(557Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1274/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| GaAs基图形衬底上GaAs 和InAs 纳米结构的控位生长 学位论文 , 北京: 中国科学院半导体研究所, 2007 作者: 周慧英 Adobe PDF(2193Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:924/19  |  提交时间:2009/04/13 |