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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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专题:中国科学院半导体研究所
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Zhang Z Nanjing Univ Jiangsu Prov Key Lab Adv Photon & Elect Mat Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: rzhang@nju.edu.cn
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提交时间:2010/03/08
一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
韩修训
;
李杰民
;
黎大兵
;
陆沅
;
王晓晖
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提交时间:2009/06/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
一种生长AlInN单晶外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200810225783.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:
卢国军
;
朱建军
;
赵德刚
;
刘宗顺
;
张书明
;
杨辉
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提交时间:2011/08/30