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大功率半导体激光器腔面钝化技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:  胡理科
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一种GaAs基半导体激光器的腔面钝化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010157652.8, 公开日期: 2011-08-30
发明人:  胡理科;  熊聪;  祁琼;  王冠;  马骁宇;  刘素平
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