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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1612/236  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun J;  Jin P;  Wang ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
Adobe PDF(5324Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：566/80  |  提交时间：2010/03/17