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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
Adobe PDF(556Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1586/269  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang JY (Zhang Jiang-Yong);  Cai LE (Cai Li-E);  Zhang BP (Zhang Bao-Ping);  Hu XL (Hu Xiao-Long);  Jiang F (Jiang Fang);  Yu JZ (Yu Jin-Zhong);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Zhang, JY, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: bzhang@xmu.edu.cn;  qmwang@semi.ac.cn
Adobe PDF(295Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1021/314  |  提交时间：2010/03/08