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一种垂直结构氮化物LED的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-09-30, 公开日期: 4008
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
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一种氮化物材料的外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-01, 公开日期: 3999
发明人:  段瑞飞;  王军喜;  曾一平;  王国宏;  李晋闽 
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用于氮化物外延生长的纳米级图形衬底的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-02-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  闫发旺;  高海永;  樊中朝;  李晋闽;  曾一平;  王国宏;  张会肖;  王军喜;  张扬
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Guo LC;  Wang XL;  Xiao HL;  Ran JX;  Wang CM;  Ma ZY;  Luo WJ;  Wang ZG;  Guo LC Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lcguo@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  沈海波;  郭亨群;  王国立;  王加贤;  吴志军;  宋江婷;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  宋江婷;  郭亨群;  王加贤;  吴志军;  王国立;  沈海波;  徐骏;  陈坤基;  王启明
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