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在硅衬底上生长的氮化镓薄膜结构及其生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:  王晓亮;  罗卫军;  郭伦春;  肖红领;  李建平;  李晋闽 
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Song GF (Song Guo-Feng);  Zhang Y (Zhang Yu);  Guo BS (Guo Bao-Shan);  Wang WM (Wang Wei-Min);  Song, GF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sgf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨国为;  王守觉;  李卫军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王卉;  曾韡;  宋国峰
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