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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [7]
作者
徐波 [2]
金鹏 [1]
文献类型
专利 [5]
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [7]
语种
中文 [5]
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出处
APPLIED SU... [1]
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发表日期:2008
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作者升序
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
金鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王智杰
;
王占国
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浏览/下载:1702/236
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备量子环结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
鹏
;
徐波
;
王赤云
;
刘俊朋
;
王占国
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浏览/下载:1557/216
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提交时间:2009/06/11
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘俊朋
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1216/192
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提交时间:2009/06/11
具有光伏效应和电致发光双重功能的器件的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
刘俊朋
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1226/186
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提交时间:2009/06/11
在半导体衬底上制备均匀有序量子结构的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
周慧英
;
曲胜春
;
王占国
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浏览/下载:1297/198
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, ZJ
;
Qu, SC
;
Zeng, XB
;
Zhang, CS
;
Shi, MJ
;
Tan, FR
;
Wang, ZG
;
Liu, JP
;
Hou, YB
;
Teng, F
;
Feng, ZH
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang, ZJ
;
Qu, SC
;
Zeng, XB
;
Liu, JP
;
Zhang, CS
;
Tan, FR
;
Jin, L
;
Wang, ZG
;
Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08