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一种具有薄氮化铪可协变层的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
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一种用于氧化锌外延薄膜生长的硅基可协变衬底材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  范海波;  李成明;  陈涌海;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li YQ;  Yang Y;  Fu SY;  Yi XY;  Wang LC;  Chen HD;  Fu, SY, Chinese Acad Sci, Tech Inst Phys & Chem, Beijing 100190, Peoples R China. 电子邮箱地址: syfu@mail.ipc.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ;  Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Li C;  Chen SY;  Lai HK;  Yu JZ;  Zhou, ZW, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmuzhouzw@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou ZW;  Cai ZM;  Li C;  Lai HK;  Chen SY;  Yu JZ;  Li, C, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, 422 S Siming Rd, Xiamen 361005, Fujian, Peoples R China. 电子邮箱地址: lich@xmu.edu.cn;  jzyu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lin GJ;  Lai HK;  Li C;  Chen SY;  Yu JZ;  Lin, GJ, Xiamen Univ, Dept Phys, Semicond Photon Res Ctr, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: xinghun1201@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄燕华;  陈松岩;  李成;  蔡加法;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周志文;  蔡志猛;  张永;  蔡坤煌;  周笔;  林桂江;  汪建元;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  余金中;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张永;  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  康俊勇;  成步文;  王启明
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