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一种生长氧化锌薄膜的装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-07-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  刘祥林;  赵凤瑷;  焦春美;  董向芸;  张晓沛;  范海波;  魏宏源;  张攀峰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang, S;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Liu, WB;  Duan, LH;  Wang, YT;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Yang, H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Zhang, SM;  Wang, YT;  Yang, H;  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xing, HY;  Fan, GH;  Zhao, DG;  He, M;  Zhang, Y;  Zhou, TM;  Fan, GH, S China Normal Univ, Inst Optoelect Mat & Technol, Guangzhou 501631, Guangdong, Peoples R China. 电子邮箱地址: hy.xing@yahoo.com.cn;  gfan@scnu.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, X;  Liu, WB;  Jiang, DS;  Liu, ZS;  Zhang, S;  Wang, LL;  Wang, H;  Zhu, JJ;  Duan, LH;  Wang, YT;  Zhao, DG;  Zhang, SM;  Yang, H;  Sun, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiansun@semi.ac.cn;  dsjiang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu DQ;  Zhao HS;  Yao JC;  Zhang DY;  Chang AM;  Wu, DQ, Xinjiang Tech Inst Phys & Chem, Urumqi 830011, Peoples R China. 电子邮箱地址: sensorg@ms.xjb.ac.cn
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Native deep level defects in ZnO single crystal grown by CVT method - art. no. 68410I 会议论文
SOLID STATE LIGHTING AND SOLAR ENERGY TECHNOLOGIES, Beijing, PEOPLES R CHINA, NOV 12-14, 2007
作者:  Zhao, YW;  Zhang, F;  Zhang, R;  Dong, ZY;  Wei, XC;  Zeng, YP;  Li, JM;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Zinc Oxide  Defect  Vacancy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhu, JH;  Zhang, SM;  Sun, X;  Zhao, DG;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Jiang, DS;  Duan, LH;  Wang, H;  Shi, YS;  Liu, SY;  Yang, H;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, JJ;  Zhao, LB;  Zhang, GY;  Liu, XL;  Zhu, QS;  Wang, ZG;  Jia, QJ;  Guo, LP;  Hu, TD;  Wu, JJ, Peking Univ, Sch Phys, State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P, Res Ctr Wide Gap Semicond, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiejunw@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma, ZF;  Zhao, DG;  Wang, YT;  Jiang, DS;  Zhang, SM;  Zhu, JJ;  Liu, ZS;  Sun, BJ;  Yang, H;  Liang, JW;  Zhang, SM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
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