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掩埋结构铝铟镓砷分布反馈激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-11-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  冯文;  潘教青;  周帆;  王宝军;  赵玲娟;  朱洪亮;  王圩
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波长可选分布反馈激光器二维阵列集成组件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谢红云;  王保军;  周帆;  王圩
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用固态磷裂解源炉分子束外延磷化铟材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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电吸收调制激光器和模斑转换器的集成方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-02-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  侯廉平;  王圩;  朱洪亮;  周帆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng YB (Cheng YuanBing);  Pan JQ (Pan JiaoQing);  Liang S (Liang Song);  Feng W (Feng Wen);  Liao ZY (Liao Zaiyi);  Zhou F (Zhou Fan);  Wang BJ (Wang, BaoJun);  Zhao LJ (Zhao LingJuan);  Zhu HL (Zhu HongLiang);  Wang W (Wang Wei);  Cheng, YB, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: ybcheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Wang LF;  Bian J;  Wang BJ;  Zhou F;  An X;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, State Key Lab Integrated Optoelect, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang, H (Yang, H.);  Zhu, HL (Zhu, H. L.);  Xie, HY (Xie, H. Y.);  Zhao, LJ (Zhao, L. J.);  Zhou, F (Zhou, F.);  Wang, W (Wang, W.);  Yang, H, Nanyang Technol Univ, Singapore 639798, Singapore.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ding Y (Ding Ying);  Kan Q (Kan Qiang);  Wang JL (Wang Jun-ling);  Pan JQ (Pan Jiao-qing);  Zhou F (Zhou Fan);  Chen WX (Chen Wei-xi);  Wang W (Wang Wei);  Ding, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingding@red.semi.ac.cn;  wy_9992000@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Feng W;  Pan JQ;  Cheng YB;  Liao ZY;  Wang BJ;  Zhou F;  Zhao LJ;  Zhu HL;  Wang W;  Feng, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wfeng@semi.ac.cn
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