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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2006 [42]
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发表日期:2006
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减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
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提交时间:2009/06/11
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
邓加军
;
毕京峰
;
牛智川
;
杨富华
;
吴晓光
;
郑厚植
Adobe PDF(336Kb)
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浏览/下载:1312/141
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提交时间:2009/06/11
无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵建华
;
蒋春萍
;
郑厚植
;
邓加军
;
杨富华
;
牛智川
Adobe PDF(363Kb)
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浏览/下载:1226/184
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提交时间:2009/06/11
半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
杨华
;
朱洪亮
;
赵玲娟
;
王圩
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浏览/下载:1115/159
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提交时间:2009/06/11
PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
赵德刚
;
杨辉
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浏览/下载:1134/128
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao H
;
Xu YQ
;
Ni HQ
;
Zhang SY
;
Han Q
;
Du Y
;
Yang XH
;
Wu RH
;
Niu ZC
;
Zhao, H, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlatt & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaohuan@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1296/288
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao YW
;
Dong ZY
;
Duan ML
;
Sun WR
;
Yang ZX
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: zhaoyw@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Yang, H (Yang, Hui)
;
Liang, JW (Liang, J. W.)
;
Li, XY (Li, X. Y.)
;
Gong, HM (Gong, H. M.)
;
Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang XL (Wang X. L.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Li XY (Li X. Y.)
;
Gong HM (Gong H. M.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: WXL@mail.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Li DY (Li Deyao)
;
Zhang SM (Zhang Shuming)
;
Wang JF (Wang Jianfeng)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Chen LH (Chen Lianghui)
;
Chong M (Chong Ming)
;
Zhu JJ (Zhu Jianjun)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Liu ZS (Liu Zongshun)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Liang JW (Liang Junwu)
;
Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11