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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [5]
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文献类型
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会议论文 [1]
学位论文 [1]
发表日期
2006 [5]
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共5条,第1-5条
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发表日期:2006
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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95
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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
冉军学
;
李建平
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1349/193
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提交时间:2009/06/11
MOCVD GaN基微电子材料及器件研究
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:
冉军学
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浏览/下载:1011/55
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提交时间:2009/04/13
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang BZ (Wang Bao-Zhu)
;
Wang XL (Wang Xiao-Liang)
;
Hu GX (Hu Guo-Xin)
;
Ran JX (Ran Jun-Xue)
;
Wang XH (Wang Xin-Hua)
;
Guo LC (Guo Lun-Chun)
;
Xiao HL (Xiao Hong-Ling)
;
Li JP (Li Jian-Ping)
;
Zeng YP (Zeng Yi-Ping)
;
Li JM (Li Jin-Min)
;
Wang ZG (Wang Zhan-Guo)
;
Wang, BZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangbz@semi.ac.cn
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浏览/下载:1004/266
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ran JX
;
Wang XL
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Li JP
;
Wang CM
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxran@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1984/710
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提交时间:2010/04/11
The difference of Si doping efficiency in GaN and AlGaN in GaN-based HBT structure
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Ran, JX
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1773/528
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提交时间:2010/03/29
Aln
Impurities
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