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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang CL;  Wang YG;  Ma XY;  Liu Y;  Sun LQ;  Tian Q;  Zang ZG;  Wang QY;  Wang, CL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@yahoo.com.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YG (Wang Yonggang);  Ma XY (Ma Xiaoyu);  Wang CL (Wang Cuiluan);  Lin T (Lin Tao);  Zhen K (Zhen Kai);  Wang J (Wang Jun);  Zhong L (Zhong Li);  Jia YL (Jia YuLei);  Wei ZY (Wei ZhiYi);  Wang, YG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: chinawygxjw@163.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林涛;  郑凯;  王翠鸾;  王俊;  王勇刚;  仲莉;  冯小明;  马骁宇
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