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具有波长蓝移效应的掩埋异质结构半导体光器件及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  丁颖;  王圩;  潘教青;  王宝军;  陈娓兮
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GaN 的MOCVD 侧向外延生长研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  陈俊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杜伟;  许兴胜;  孙增辉;  鲁琳;  高俊华;  赵致民;  王春霞;  陈弘达
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈弘达;  贾九春;  裴为华;  唐君
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈亮;  游达;  汤英文;  乔辉;  陈俊;  赵德刚;  张燕;  李向阳;  龚海梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李雪;  陈俊;  何政;  赵德刚;  龚海梅;  方家熊
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇;  和致经;  魏珂;  梁晓新;  王晓亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张冠杰;  徐波;  陈涌海;  姚江宏;  林耀望;  舒永春;  皮彪;  邢晓东;  刘如彬;  舒强;  王占国;  许京军
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陆晓东;  韩培德;  全宇军;  叶志成;  吴黎;  陈彦超;  赵春华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  贾久春;  陈弘达;  左超;  陈雄斌;  周毅;  唐君
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