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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gu J;  Zhu MF;  Wang LJ;  Liu FZ;  Zhou BQ;  Zhou YQ;  Ding K;  Li GH;  Zhu, MF, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, POB 4588, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: mfzhu@gucas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou BQ;  Liu FZ;  Zhu MF;  Gu JH;  Zhou YQ;  Liu JL;  Dong BZ;  Li GH;  Ding K;  Zhou, BQ, Chinese Acad Sci, Grad Sch, Dept Phys, Beijing 100039, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhoubq@mails.gscas.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谷锦华;  周玉琴;  朱美芳;  李国华;  丁琨;  周炳卿;  刘丰珍;  刘金龙;  张群芳
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周炳卿;  刘丰珍;  朱美芳;  谷锦华;  周玉琴;  刘金龙;  董宝中;  李国华;  丁琨
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈晓娟;  刘新宇;  和致经;  刘键;  邵刚;  魏珂;  吴德馨;  王晓亮;  周钧铭;  陈宏
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  杨少延;  柴春林;  周剑平;  刘志凯;  陈涌海;  陈诺夫;  王占国
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