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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
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自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:1702/185
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提交时间:2009/06/11
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张南红
;
王晓亮
;
曾一平
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
李晋闽
Adobe PDF(302Kb)
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浏览/下载:1353/213
  |  
提交时间:2009/06/11
生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
李建平
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(445Kb)
  |  
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浏览/下载:1093/178
  |  
提交时间:2009/06/11
生长高阻氮化镓外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
冉军学
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(362Kb)
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浏览/下载:1248/191
  |  
提交时间:2009/06/11
氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
王晓亮
;
胡国新
;
王军喜
;
曾一平
;
李晋闽
Adobe PDF(542Kb)
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浏览/下载:1017/175
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提交时间:2009/06/11
低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
江李
;
林涛
;
韦欣
;
王国宏
;
马骁宇
Adobe PDF(256Kb)
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浏览/下载:1010/140
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提交时间:2009/06/11
电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
胡小华
;
李宝霞
;
朱洪亮
;
王圩
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang NH
;
Wang XL
;
Zeng YP
;
Xiao HL
;
Wang JX
;
Liu HX
;
Li JM
;
Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1143/420
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang NH
;
Wang XL
;
Zeng YP
;
Xiao HL
;
Wang JX
;
Liu HX
;
Li JM
;
Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Eerdunchaolu
;
Li, SS
;
Xiao, JL
;
Eerdunchaolu, Hebei Normal Univ Sci & Technol, Dept Math & Phys, Qinhuangdao 066004, Peoples R China. 电子邮箱地址: zmtlnjtw@public.hh.nm.cn
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浏览/下载:759/187
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提交时间:2010/03/17