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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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作者
黎大兵 [2]
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文献类型
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2005 [22]
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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85
90
95
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WOS被引频次降序
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期刊影响因子降序
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一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
车晓玲
;
刘峰奇
;
黄秀颀
;
雷文
;
刘俊岐
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴洁君
;
黎大兵
;
陆沅
;
韩修训
;
李杰民
;
王晓辉
;
刘祥林
;
王占国
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浏览/下载:1692/185
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提交时间:2009/06/11
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张南红
;
王晓亮
;
曾一平
;
肖红领
;
王军喜
;
刘宏新
;
李晋闽
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浏览/下载:1349/213
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提交时间:2009/06/11
生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
肖红领
;
王晓亮
;
王军喜
;
张南红
;
刘宏新
;
曾一平
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浏览/下载:1143/177
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提交时间:2009/06/11
二元判定图器件
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
吴南健
;
陆江
;
刘肃
;
邝小飞
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浏览/下载:1305/148
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提交时间:2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
陆沅
;
刘祥林
;
陆大成
;
王晓晖
;
王占国
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提交时间:2009/06/11
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期刊论文
作者:
Zhang NH
;
Wang XL
;
Zeng YP
;
Xiao HL
;
Wang JX
;
Liu HX
;
Li JM
;
Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Zhang NH
;
Wang XL
;
Zeng YP
;
Xiao HL
;
Wang JX
;
Liu HX
;
Li JM
;
Zhang, NH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: znhong@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1052/294
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xiao, HL
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Zhang, NH
;
Liu, HX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Xiao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Grp, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlxiao@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:864/300
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘喆
;
王军喜
;
李晋闽
;
刘宏新
;
王启元
;
王俊
;
张南红
;
肖红领
;
王晓亮
;
曾一平
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提交时间:2010/11/23