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| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽
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| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽
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| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘喆 ; 王军喜; 李晋闽; 刘宏新; 王启元; 王俊; 张南红; 肖红领; 王晓亮; 曾一平
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 裴为华; 陈弘达; 唐君; 鲁琳; 刘金彬; 吴惠娟; 陈晶华; 胡小凤; 黎晓新; 李凯
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘明; 陈晓红; 徐征; 滕枫; 衣立新; 高德文; 郭立群
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冉军学; 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 肖红领; 王晓亮; 张南红; 王军喜; 刘宏新; 韩勤; 曾一平; 李晋闽
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