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Epitaxial growth of SiC on complex substrates 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Optical Microscopy  X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Sapphire  Deposition  Films  
Homoepitaxial growth and device characteristics of SiC on Si-face (0001) 6H-SiC 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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X-ray Diffraction  Molecular Beam Epitaxy  Semiconducting Silicon Compounds  Low-temperature Growth  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen NF;  Zhong XR;  Lin LY;  Zhang M;  Wang YS;  Bai XW;  Zhao J;  Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao F;  Li GH;  Zhang JH;  Qin FG;  Yao ZY;  Liu ZK;  Wang ZG;  Lin LY;  Gao F,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(228Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1248/481  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun GS;  Li JM;  Luo MC;  Zhu SR;  Wang L;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(196Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：863/266  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li JM;  Sun GS;  Zhu SR;  Wang L;  Luo MC;  Zhang FF;  Lin LY;  Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(113Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：911/252  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu B;  Zhuang QD;  Yoon SF;  Dai JH;  Kong MY;  Zeng YP;  Li JM;  Lin LY;  Zhang HJ;  Liu B,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Lab Opt Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  彭长涛;  陈诺夫;  林兰英;  柯俊
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