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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [7]
作者
徐应强 [2]
徐波 [1]
文献类型
会议论文 [7]
发表日期
2001 [4]
2000 [2]
1999 [1]
语种
英语 [7]
出处
APOC 2001:... [2]
JOURNAL OF... [2]
MAGNETISM,... [1]
PROCEEDING... [1]
SIMC-XI: 2... [1]
资助项目
收录类别
CPCI-S [7]
资助机构
China Natl... [2]
SPIE.; Chi... [2]
Fundacao A... [1]
IEEE Elect... [1]
Japan Soc ... [1]
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Selective intermixing of Ga(In)NAs/GaAs quantum well structures usingSiO(2) encapsulation and rapid thermal annealing
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Xu YQ
;
Li LH
;
Pan Z
;
Lin YW
;
Wang QM
;
Xu YQ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Molecular-beam Epitaxy
Mu-m
1.3 mu m GaInNAs/GaAs quantum well lasers and photodetectors
会议论文
APOC 2001: ASIA-PACIFIC OPTICAL AND WIRELESS COMMUNICATIONS: OPTOELECTRONICS, MATERIALS, AND DEVICES FOR COMMUNICATIONS, 4580, BEIJING, PEOPLES R CHINA, NOV 12-15, 2001
作者:
Zhong P
;
Lin YW
;
Li LH
;
Xu YQ
;
Wei Z
;
Wu RH
;
Lin YW Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Operation
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1349/219
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提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films
Optical transitions in GaNAs/GaAs single quantum well
会议论文
PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL WORKSHOP ON NITRIDE SEMICONDUCTORS, 1, NAGOYA, JAPAN, SEP 24-27, 2000
作者:
Luo XD
;
Xu ZY
;
Sun BQ
;
Pan Z
;
Li LH
;
Lin YW
;
Ge WK
;
Luo XD Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ganas
Photoluminescence
Band Offset
Band Bowing Coefficient
Localized Exciton
Molecular-beam Epitaxy
Alloys
Temperature
Gaasn
Self-assembled InAs quantum wires on InP(001)
会议论文
SIMC-XI: 2000 INTERNATIONAL SEMICONDUCTING AND INSULATING MATERIALS CONFERENCE, PROCEEDINGS, CANBERRA, AUSTRALIA, JUL 03-07, 2000
作者:
Wu J
;
Zeng YP
;
Sun ZZ
;
Lin F
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Wu J Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Short-period Superlattices
Vapor-phase Epitaxy
Gaas
Islands
State
Crystallographic and magnetic properties of hydride R3Fe29-xTxHy (R=Y, Ce, Nd, Sm, Gd, Tb and Dy; T=V and Cr)
会议论文
MAGNETISM, MAGNETIC MATERIALS AND THEIR APPLICATIONS, 302-3, SAO PAULO, BRAZIL, JUN 07-11, 1998
作者:
Han XF
;
Lin LY
;
Baggio-Saitovitch E
;
Xu RG
;
Wang XH
;
Pan HG
;
Han XF Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Magnetic Properties
Hydride
Hydrogenation
Saturation Magnetization
Curie Temperature
First-order Magnetization Process
R3fe29-xtxhy
r = y