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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [4]
作者
江德生 [2]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [4]
发表日期
2008 [1]
2004 [1]
2003 [1]
2002 [1]
语种
英语 [4]
出处
2008 IEEE ... [1]
5TH INTERN... [1]
COMMAD 200... [1]
JOURNAL OF... [1]
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收录类别
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收录类别:CPCI\-S
文献类型:会议论文
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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第一作者单位
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A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics
会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:
Wang, LS
;
Zhao, LJ
;
Pan, JQ
;
Zhang, W
;
Wang, H
;
Liang, S
;
Zhu, HL
;
Wang, W
;
Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
P-i-n/hbt
Wave-guide
Inp/ingaas
Frequency
Hbt
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Reduction in crystallographic tilt of lateral epitaxial overgrown GaN by using new patterned shape mask
会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:
Feng G
;
Shen XM
;
Zhu JJ
;
Zhang BS
;
Yang H
;
Liang JW
;
Feng G Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1416/308
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提交时间:2010/10/29
Buffer Layer
Substrate
Diodes
Growth
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas