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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Chen WD
;
Song SF
;
Zhu JJ
;
Wang XL
;
Chen CY
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: wdchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Doping
Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Semiconducting Gallium Compounds
Erbium
Strong red light emission from silicon nanocrystals embedded in SIO2 matrix
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Chen WD
;
Wang YQ
;
Chen CY
;
Diao HW
;
Liao XB
;
Kong GL
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Photoluminescence
Luminescence
Spectroscopy
Deposition
Correlation between Er3+ emission and the microstructure of a-SiOx : H < Er > films
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Chen CY
;
Chen WD
;
Song SF
;
Hsu CC
;
Chen CY Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Hydrogenated Amorphous-silicon
Photoluminescence
Luminescence
Intensity
System
The influence of oxygen content on photoluminescence from Er-doped SiOx
会议论文
LUMINESCENT MATERIALS, 560, SAN FRANCISCO, CA, APR 05-08, 1999
作者:
Chen WD
;
Liang JJ
;
Hsu CC
;
Chen WD Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29