×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
登录
中文版
|
English
中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
ALL
ORCID
题名
作者
学科领域
关键词
文献类型
出处
收录类别
出版者
发表日期
存缴日期
资助项目
学科门类
学习讨论厅
图片搜索
粘贴图片网址
首页
研究单元&专题
作者
文献类型
学科分类
知识图谱
新闻&公告
在结果中检索
研究单元&专题
中国科学院半导体研究... [2]
作者
文献类型
会议论文 [2]
发表日期
2001 [2]
语种
英语 [2]
出处
JOURNAL OF... [2]
资助项目
收录类别
CPCI-S [2]
资助机构
China Natl... [2]
×
知识图谱
SEMI OpenIR
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
限定条件
收录类别:CPCI\-S
出处:JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227
语种:英语
文献类型:会议论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
期刊影响因子升序
期刊影响因子降序
WOS被引频次升序
WOS被引频次降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
题名升序
题名降序
Growth and characterization of GaInNAs/GaAs by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Pan Z
;
Li LH
;
Zhang W
;
Wang XU
;
Lin YW
;
Wu RH
;
Pan Z Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(124Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1357/219
  |  
提交时间:2010/11/15
Adsorption
Characterization
Radiation
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Surface-emitting Laser
Quantum-wells
Operation
Range
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(191Kb)
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:1755/385
  |  
提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films