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| 金刚石光电器件数值模拟与工艺研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 许敦洲
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| 锑化镓和砷化铟衬底的抛光损伤及晶格完整性研究 学位论文
工学硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者: 冯银红
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| 低位错III-V族单晶衬底InP、GaSb和InAs的残留应力及其退火消除研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者: 周媛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Soopy, Abdul Kareem K.; Li, Zhaonan; Tang, Tianyi; Sun, Jiaqian; Xu, Bo; Zhao, Chao; Najar, Adel
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| 半导体材料的偏振光电流及其显微成像研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2020
作者: 张洋
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| GaSb原生受主缺陷对施掺杂激活及其器件应用的影响 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者: 余丁
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| 反转型InAs/GaSb量子阱结构电子迁移率及异质结红外光电晶体管研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者: 黄文军
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Inas/gasb二类超晶格 反转型量子阱结构 电子迁移率 异质结光电晶体管 双色 |
| 第三代半导体材料及杂化钙钛矿光学性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2018
作者: 黄威
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| 4H-SiC场效应晶体管的仿真设计与沟槽型MOSFET的研制 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2017
作者: 申占伟
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4h-sic 场效应晶体管 No退火 Umosfet 欧姆接触 槽角圆弧化 米勒电容 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wenjun Huang; Wenquan Ma; Jianliang Huang; Yanhua Zhang; Yulian Cao; Chengcheng Zhao; Xiaolu Guo
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