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无权访问的条目 学位论文
作者:  杨帅
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GaN基纳米线光电器件的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2018
作者:  程成
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无权访问的条目 学位论文
作者:  黄宇亮
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AlGaN/GaN MOS-HFET功率开关器件制备技术研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  赵勇兵
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Algan/gan Hfet  特征导通电阻  击穿电压  增强型器件  阈值电压  
栅极调制正装结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534622.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
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栅极调制垂直结构GaN基发光二极管的器件结构及制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534772.5, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘志强;  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  王国宏;  李晋闽
Adobe PDF(311Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1373/248  |  提交时间：2011/08/31