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| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD ; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Han XX; Chen Z; Li DB; Wu JJ; Li JM; Sun XH; Liu XL; Han PD; Wang XH; Zhu QS; Wang ZG; Han, XX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xxhan@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 韩培德; 陈振; 黎大兵; 王占国; 刘祥林; 陆大成; 王晓军; 汪度
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王晓晖; 李昱峰; 陆大成; 刘祥林; 袁海荣; 陆沅; 黎大兵; 王秀凤; 朱勤生; 王占国; 陈振; 韩培德
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Chen Z; Lu DC; Wang XH; Liu XL; Yuan HR; Han PD; Wang D; Wang ZG; Li GH; Lu DC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 李昱峰; 陈振; 韩培德; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 陆大成; 刘祥林; 韩培德; 王晓晖; 汪度; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Wang ZM; Feng SL; Yang XP; Lu ZD; Xu ZY; Zheng HZ; Wang FL; Han PD; Duan XF; Wang ZM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: zmwang@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王志明; 封松林; 吕振东; 杨小平; 陈宗圭; 宋春英; 徐仲英; 郑厚植; 王凤莲; 韩培德; 段晓峰
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