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高提取效率氮化镓发光二极管的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010534588.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  黄亚军;  樊中朝;  刘志强;  伊晓燕;  季安;  王军喜
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窄脊半导体器件的制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2017-06-05
发明人:  杨冠卿;  梁平;  徐波;  陈涌海;  王占国
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以光刻胶为掩膜对二氧化硅进行深刻蚀的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN200910081225.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  李艳;  杨富华;  裴为华
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ICP干法刻蚀工艺制备剖面为正梯形的台面的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-08-21
发明人:  徐晓娜;  胡传贤;  樊中朝;  王晓东;  杨富华
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