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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Ding WC
;
Liu Y
;
Zhang Y
;
Guo JC
;
Zuo YH
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Ding WC Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: wcd04@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Heteroepitaxial Growth of 3C-SiC on Si (111) Substrate using AlN as a Buffer Layer
会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2007, Otsu, JAPAN, OCT 14-19, 2007
作者:
Zhao, YM
;
Sun, GS
;
Liu, XF
;
Li, JY
;
Zhao, WS
;
Wang, L
;
Li, JM
;
Zeng, YP
;
Zhao, YM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1926/307
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提交时间:2010/03/09
Silicon Carbide
Aluminum Nitride
Buffer Layer
Lpcvd
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wang ZG
;
Gao F
;
Li JB
;
Zu XT
;
Weber WJ
;
Wang ZG Univ Elect Sci & Technol China Dept Appl Phys Chengdu 610054 Peoples R China. E-mail Address: zgwang@uestc.edu.cn
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浏览/下载:1137/331
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhou W
;
Yang JL
;
Li Y
;
Ji A
;
Yang FH
;
Yu YD
;
Yang JL Chinese Acad Sci Inst Semicond Qinghua Donglu A 35 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: jlyang@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding Wuchang
;
Zuo Yuhua
;
Zhang Yun
;
Guo Jianchuan
;
Cheng Buwen
;
Yu Jinzhong
;
Wang Qiming
;
Guo Hengqun
;
Lü Peng
;
Shen Jiwei
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Tang Longjuan
;
Zhu Yinfang
;
Yang Jinling
;
Li Yan
;
Zhou Wei
;
Xie Jing
;
Liu Yunfei
;
Yang Fuhua
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhao DG
;
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Liu ZS
;
Wang H
;
Zhang SM
;
Wang YT
;
Yang H
;
Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu, XS
;
Yamada, T
;
Ueda, R
;
Otomo, A
;
Xu, XS, Natl Inst Informat & Commun Technol, Kobe Adv Res Ctr, Nishi Ku, 588-2 Iwaoka, Kobe, Hyogo 6512492, Japan. 电子邮箱地址: xsxu@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1083/380
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提交时间:2010/03/08
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Ding WC
;
Hu D
;
Zheng J
;
Chen P
;
Cheng BW
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Ding, WC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wcd04@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/08
Fracture properties of PECVD silicon nitride thin films by long rectangular memrane bulge test
会议论文
2008 3RD IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON NANO/MICRO ENGINEERED AND MOLECULAR SYSTEMS, Sanya, PEOPLES R CHINA, JAN 06-09, 2008
作者:
Zhou, W
;
Yang, JL
;
Li, Y
;
Yang, FH
;
Yang, JL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100864, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/09
Bulge Test
Fracture Property
Silicon Nitride
Weibull Distribution Function