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探测半导体能带结构高阶临界点的新方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-07-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  谭平恒;  徐仲英;  罗向东;  葛惟昆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cheng WC;  Xia JB;  Li GH;  Tan PH;  Zheng HZ;  Cheng WC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1006/262  |  提交时间：2010/08/12