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| 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12 发明人: 刘泓波; 赵玲娟; 潘教青; 朱洪亮; 王 圩 Adobe PDF(527Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1755/330  |  提交时间:2010/08/12 |
| 稀土复合离子注入发光材料制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张建国; 王晓欣; 成步文; 余金中; 王启明 Adobe PDF(395Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1162/204  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王启元; 王俊; 王建华 Adobe PDF(342Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1071/183  |  提交时间:2009/06/11 |
| 离子注入砷化镓吸收镜 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 马晓宇; 王勇刚 Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:962/123  |  提交时间:2009/06/11 |
| 降低磷离子注入(0001)取向的4H-碳化硅电阻率的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 高欣; 孙国胜; 李晋闽; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(499Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1325/188  |  提交时间:2009/06/11 |
| 竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:958/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 孙国胜; 王雷; 赵万顺 Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:788/110  |  提交时间:2009/06/11 |
| 大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 宋书林; 陈诺夫; 周剑平; 杨少延; 刘志凯; 柴春林 Adobe PDF(322Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1364/189  |  提交时间:2009/06/11 |
| 多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张富强; 陈诺夫 Adobe PDF(236Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:926/135  |  提交时间:2009/06/11 |