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利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  沈文娟;  曾一平;  王俊
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磁性半导体镓锰锑单晶热平衡生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-17, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈晨龙;  陈诺夫;  吴金良
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中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者:  王占国;  陈立泉;  屠海令
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非晶硅/单晶硅异质结太阳电池的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者:  许颖
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  李成基;  段满龙;  孙文荣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  董志远;  魏学成;  段满龙;  李晋闽
Adobe PDF(504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:975/360  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  李成;  赖虹凯;  陈松岩;  王启明
Adobe PDF(166Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1077/407  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  魏学成;  赵有文;  董志远;  李晋闽
Adobe PDF(389Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1048/299  |  提交时间:2010/11/23
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  孙文荣;  段满龙;  董志远;  杨子祥;  吕旭如;  王应利
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