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中国科学院半导体研究所机构知识库
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中国科学院半导体研究... [5]
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会议论文 [5]
发表日期
2006 [5]
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发表日期:2006
文献类型:会议论文
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Homoepitaxial growth and characterization of 4H-SiC epilayers by low-pressure hot-wall chemical vapor deposition
会议论文
Silicon Carbide and Related Materials 2005丛书标题: MATERIALS SCIENCE FORUM, Pittsburgh, PA, SEP 18-23, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, Guosheng)
;
Ning, J (Ning, Jin)
;
Gong, QC (Gong, Quancheng)
;
Gao, X (Gao, Xin)
;
Wang, L (Wang, Lei)
;
Liu, XF (Liu, Xingfang)
;
Zeng, YP (Zeng, Yiping)
;
Li, JM (Li, Jinmin)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Homoepitaxial Growth
Low-pressure Hot-wall Cvd
Structural And Optical Characteristics
Intentional Doping
Schottky Barrier Diodes
Deep levels in high resistivity GaN epilayers grown by MOCVD
会议论文
Physica Status Solidi C - Current Topics in Solid State Physics丛书标题: PHYSICA STATUS SOLIDI C-CURRENT TOPICS IN SOLID STATE PHYSICS, Rust, GERMANY, SEP 18-22, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Wang, JX
;
Liu, C
;
Wang, CM
;
Hu, GX
;
Li, JP
;
Li, CJ
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(270Kb)
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浏览/下载:1374/262
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提交时间:2010/03/29
Thermally Stimulated Current
Gallium Nitride
Defects
Growth and characterization of semi-insulating GaN films grown by MOCVD
会议论文
JOURNAL OF RARE EARTHS, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 16-19, 2005
作者:
Fang, CB
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Wang, CM
;
Li, JM
;
Wang, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xlwang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
Mocvd
Defect influence on luminescence efficiency of GaN-based LEDs
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Li SP (Li Shuping)
;
Fang ZL (Fang Zhilai)
;
Chen HY (Chen Hangyang)
;
Li JC (Li Jinchai)
;
Chen XH (Chen Xiaohong)
;
Yuan XL (Yuan Xiaoli)
;
Sekiguchi T (Sekiguchi Takashi)
;
Wang QM (Wang Qiming)
;
Kang JY (Kang Junyong)
;
Kang, JY, Xiamen Univ, Dept Phys, Xiamen 361005, Peoples R China. 电子邮箱地址: jykang@xmu.edu.cn
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提交时间:2010/03/29
Defects
Morphological defects and uniformity issues of 4H-SiC homoepitaxial layers grown on off-oriented (0001)Si faces
会议论文
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 13-19, 2005
作者:
Sun, GS (Sun, G. S.)
;
Liu, XF (Liu, X. F.)
;
Gong, QC (Gong, Q. C.)
;
Wang, L (Wang, L.)
;
Zhao, WS (Zhao, W. S.)
;
Li, JY (Li, J. Y.)
;
Zeng, YP (Zeng, Y. P.)
;
Li, JM (Li, J. M.)
;
Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gshsun@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/29
4h-sic