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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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发表日期:2005
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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期刊论文
作者:
Shen XM
;
Zhao DG
;
Liu ZS
;
Hu ZF
;
Yang H
;
Liang JW
;
Shen, XM, Tongji Univ, Inst Semicond & Informat Technol, 1239 Siping Rd, Shanghai 200092, Peoples R China. 电子邮箱地址: xmshen@mail.tongji.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Cai XH
;
Zheng WH
;
Ma XT
;
Ren G
;
Xia JB
;
Cai, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: caixianghua@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
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期刊论文
作者:
Song SF
;
Chen WD
;
Zhang CG
;
Bian LF
;
Hsu CC
;
Lu LW
;
Zhang YH
;
Zhu JJ
;
Song, SF, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Surface Phys, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sfsong@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, WQ
;
Qu, SC
;
Cong, GW
;
Wang, ZG
;
Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang JC
;
Cao SX
;
Zhang RY
;
Yu LM
;
Jing C
;
Zhang, JC, Shanghai Univ, Ctr Nanosci & Technol, Dept Phys, Shangda Rd 99, Shanghai 200436, Peoples R China. 电子邮箱地址: jczhang@mail.shu.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Sun, MH
;
Zhao, TX
;
Jia, CY
;
Xu, PS
;
Lu, ED
;
Hsu, CC
;
Ji, H
;
Ji, H, Peking Univ, Sch Phys, Natl Key Lab Mesoscop Phys, Beijing 100871, Peoples R China. 电子邮箱地址: jihang@pku.edu.cn
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提交时间:2010/03/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Peng, WQ
;
Qu, SC
;
Cong, GW
;
Zhang, XQ
;
Wang, ZG
;
Peng, WQ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wqpeng@semi.ac.cn
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提交时间:2010/03/17
Improvement of the electrical property of semi-insulating InP by suppression of compensation defects
会议论文
2005 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials丛书标题: CONFERENCE PROCEEDINGS - INDIUM PHOSPHIDE AND RELATED MATERIALS, Glasgow, SCOTLAND, MAY 08-12, 2005
作者:
Zhao, YW
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Ctr Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 10083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Encapsulated Czochralski Inp
Semiconductor Compound-crystals
Stimulated Current Spectroscopy
Current Transient Spectroscopy
Deep-level Defects
Annealing Ambient
Point-defects
Fe
Phosphide
Donors
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen J
;
Wang JF
;
Zhang JC
;
Wang H
;
Huang Y
;
Wang YT
;
Yang H
;
Jia QJ
;
Chen, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jchen@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/04/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Chen Q
;
Huang YZ
;
Guo WH
;
Yu LJ
;
Chen, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: chenqin@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1439/578
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提交时间:2010/03/17