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竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
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水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
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大计量离子注入法制备磁体/半导体混杂结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-03-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  宋书林;  陈诺夫;  周剑平;  杨少延;  刘志凯;  柴春林
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多能态离子注入法制备磁性半导体的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-02-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张富强;  陈诺夫
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