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Growth and characterization of 4H-SiC by horizontal hot-wall CVD 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Sun, GS;  Gao, X;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Li, JM;  Sun, GS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Chemical-vapor-deposition  
Molecular beam epitaxial growth of GaN on 3c-SiC/Si(111) substrates using a thick AIN buffer layer 会议论文
SMIC-XIII 2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Gao, X;  Li, JM;  Sun, GS;  Zhang, NH;  Wang, L;  Zhao, WS;  Zeng, YP;  Gao, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Si(111)  Aln  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强;  葛惟锟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li Dabing;  Dong Xun;  Liu Xianglin;  Wang Xiaohui;  Wang Zhanguo
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu Jianjun;  Chen Xiaofang;  Li Shushen
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