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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, XH;  Niu, ZC;  Ni, HQ;  Xu, YQ;  Zhang, W;  He, ZH;  Han, Q;  Wu, RH;  Xu, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Supperlattice & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xiaohua_xu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chang K;  Jiang DS;  Xia JB;  Chang, K, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, NLSM, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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Molecular Beam Epitaxy  Quantum Wells  Gaassb/gaas  Gaas  Lasers  Gain  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang DS;  Bian LF;  Liang XG;  Chang K;  Sun BQ;  Johnson S;  Zhang YH;  Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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