已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 黄亚军; 刘志强; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1826/705  |  提交时间:2011/08/16 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 潘岭峰; 李琪; 刘志强; 王晓峰; 伊晓燕; 王良臣; 王军喜 Adobe PDF(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1321/397  |  提交时间:2012/07/17 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 詹腾; 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(278Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1473/211  |  提交时间:2012/09/09 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(317Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1769/234  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(343Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1684/262  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郭恩卿; 刘志强; 汪炼成; 伊晓燕; 王莉; 王国宏 Adobe PDF(314Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1880/266  |  提交时间:2011/08/31 |
| 氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的腐蚀方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010251509.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 汪炼成; 郭恩卿; 刘志强; 伊晓燕; 王国宏 Adobe PDF(292Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1593/268  |  提交时间:2011/08/31 |
| 自支撑氮化镓衬底的制作方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102208340A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 孙波; 伊晓燕; 刘志强; 汪炼成; 郭恩卿; 王国宏 Adobe PDF(219Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1789/285  |  提交时间:2012/09/09 |
| GaN基薄膜芯片的制造方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102496667A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 刘硕; 郭恩卿; 伊晓燕; 王军喜; 李晋闽 Adobe PDF(757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1201/190  |  提交时间:2012/09/09 |