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基于InAsGaSb 二类超晶格的新型红外探测器研究 学位论文
工学博士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  鄢绍龙
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氧化限制型VCSEL横向模式控制及可调性研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2021
作者:  邵泓焰
Adobe PDF(5009Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：681/14  |  提交时间：2021/06/17
基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李士颜
Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：847/63  |  提交时间：2016/06/02
高深宽比限制技术  选区外延技术  Si基iii-v族异质外延  Si基高迁移率iii-v族mosfet  纳米激光器