SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共32条,第1-10条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页:   排序方式:
带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  卢励吾;  张砚华;  葛惟昆
Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/187  |  提交时间:2009/06/11
垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  申荣铉;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  高鹏;  崔增文
Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1028/142  |  提交时间:2009/06/11
垂直腔面发射激光器的光收发一体模块 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  申荣铉;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  梁琨
Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1049/158  |  提交时间:2009/06/11
波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆羽;  张靖;  朱洪亮;  王圩
Adobe PDF(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:844/131  |  提交时间:2009/06/11
大规模光电集成RCE探测器面阵器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  裴为华;  毛陆虹;  吴荣汉;  杜云;  唐君;  邓晖;  梁琨
Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1126/161  |  提交时间:2009/06/11
基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  吴荣汉;  杜云;  毛陆虹;  唐君;  裴为华;  梁琨
Adobe PDF(408Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1002/138  |  提交时间:2009/06/11
CMOS结构的硅基发光器件 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈弘达;  孙增辉;  毛陆虹;  唐君;  高鹏;  崔增文
Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1050/128  |  提交时间:2009/06/11
波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆羽;  朱洪亮;  王圩;  赵玲娟
Adobe PDF(504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/129  |  提交时间:2009/06/11
一种制作白光发光二极管的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  韩培德;  陆大成;  刘祥林;  王晓晖;  朱勤生;  王占国
Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1259/194  |  提交时间:2009/06/11
Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1542/329  |  提交时间:2010/10/29
Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets