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| 带有外加磁场的深能级测量样品架装置 专利 专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 卢励吾; 张砚华; 葛惟昆 Adobe PDF(267Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1164/187  |  提交时间:2009/06/11 |
| 垂直腔面发射激光器列阵的并行光发射模块及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 申荣铉; 毛陆虹; 唐君; 裴为华; 高鹏; 崔增文 Adobe PDF(508Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1028/142  |  提交时间:2009/06/11 |
| 垂直腔面发射激光器的光收发一体模块 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 申荣铉; 毛陆虹; 吴荣汉; 杜云; 唐君; 梁琨 Adobe PDF(318Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1049/158  |  提交时间:2009/06/11 |
| 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-09-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆羽; 张靖; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(455Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:844/131  |  提交时间:2009/06/11 |
| 大规模光电集成RCE探测器面阵器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 裴为华; 毛陆虹; 吴荣汉; 杜云; 唐君; 邓晖; 梁琨 Adobe PDF(525Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1126/161  |  提交时间:2009/06/11 |
| 基于激子效应的多量子阱光调制器/探测器列阵 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-08-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 吴荣汉; 杜云; 毛陆虹; 唐君; 裴为华; 梁琨 Adobe PDF(408Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1002/138  |  提交时间:2009/06/11 |
| CMOS结构的硅基发光器件 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈弘达; 孙增辉; 毛陆虹; 唐君; 高鹏; 崔增文 Adobe PDF(270Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1050/128  |  提交时间:2009/06/11 |
| 波长可调谐分布布拉格反射激光器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-04-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陆羽; 朱洪亮; 王圩; 赵玲娟 Adobe PDF(504Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/129  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种制作白光发光二极管的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2004-02-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈振; 韩培德; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1259/194  |  提交时间:2009/06/11 |
| Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003 作者: Chen Z; Chua SJ; Yuan HR; Liu XL; Lu DC; Han PD; Wang ZG; Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg Adobe PDF(225Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1542/329  |  提交时间:2010/10/29 Metalorganic Chemical Vapor Deposition Semiconducting Iii-v Materials Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures Carrier Confinement Effect Transistors Photoluminescence Mobility Heterojunction Interface Hfets |