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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中科院半导体照明研发... [3]
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语种:中文
文献类型:专利
作者:伊晓燕
第一作者
专题:中科院半导体照明研发中心
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭恩卿
;
刘志强
;
汪炼成
;
伊晓燕
;
王莉
;
王国宏
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提交时间:2011/08/31
全侧壁锯齿状粗化发光二极管芯片的制备方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010113819.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
闫发旺
;
孙莉莉
;
张会肖
;
伊晓燕
;
王军喜
;
王国宏
;
曾一平
;
李晋闽
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浏览/下载:1636/288
  |  
提交时间:2011/08/31
氮化镓基垂直结构发光二极管电极结构的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251508.0, 公开日期: 2011-08-31
发明人:
郭恩卿
;
刘志强
;
汪炼成
;
伊晓燕
;
王莉
;
王国宏
Adobe PDF(314Kb)
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提交时间:2011/08/31