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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang Q;  Wang XQ;  He XW;  Yin CM;  Xu FJ;  Shen B;  Chen YH;  Wang ZG;  Ishitani Y;  Yoshikawa A;  Zhang Q Peking Univ Sch Phys State Key Lab Artificial Microstruct & Mesoscop P Beijing 100871 Peoples R China. E-mail Address: wangshi@pku.edu.cn;  bshen@pku.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tan XT;  Zheng HZ;  Liu J;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Yang FH;  Zheng HZ Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Microstruct & Superlattices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun XM;  Zhang H;  Zhu H;  Xu P;  Li GR;  Liu J;  Zheng HZ;  Sun XM Chinese Acad Sci State Key Lab Microstruct & Superlattices Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: hzzheng@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li ZY;  Xu DX;  McKinnon WR;  Janz S;  Schmid JH;  Cheben P;  Yu JZ;  Li ZY Chinese Acad Sci Inst Semicond 35A Tsinghua E Rd Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lizhy@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  黄亨沛;  徐桂芝;  张雅丽;  谢亮;  祝宁华
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  彭震宇;  鲁正雄;  孙维国;  郝瑞亭;  周志强;  许应强;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郭杰;  孙维国;  彭震宇;  周志强;  徐应强;  牛智川
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带位置稳定结构的针状神经微电极 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2008-10-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  裴为华;  陈弘达;  朱琳;  张旭;  郭凯;  王淑静;  陈海峰
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在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  金鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王智杰;  王占国
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在半导体衬底上制备量子环结构的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-08-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  周慧英;  曲胜春;  鹏;  徐波;  王赤云;  刘俊朋;  王占国
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